[发明专利]一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备有效
| 申请号： | 201310091223.9 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103147119A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 杨国利;崔艳军;张月娟;马晓明;庞才印;毕海 | 申请（专利权）人： | 北京雷生强式科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人： | 李贵兰 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备，所述生长设备包括炉膛，所述炉膛的上方和下方分别设有气体进出的通孔，所述炉膛的上方设有用于打捞晶体生长产生的杂质的开口。所述氟化镁晶体的制备方法包括以下步骤：设置参数，在氟化镁晶体制备过程中，炉膛内通流动惰性气体；开始升温熔融氟化镁粉末，待完全熔融形成熔体后，打捞氟氧化物，下籽晶；得到生长后的氟化镁晶体。制备的氟化镁晶体光学质量优良，透过率@193nm不低于89%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氟化 晶体 制备 方法 生长 设备 | ||
【主权项】：
一种制备氟化镁晶体的生长设备，其特征在于，包括炉膛，所述炉膛的上方和下方分别设有气体进出的通孔，所述炉膛的上方设有用于打捞晶体生长过程产生的杂质的开口。
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