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[发明专利]一种真空度优于1×10-8-CN202010620785.8有效
发明人：武跃龙;武海斌;李欣;庞才印;李睿;李堃;芮扬 -专利权人：华东师范大学;北京新南智科光电科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空度优于1×10‑8Pa的全玻璃光学原子腔及制备方法，其全玻璃光学原子腔包括光学真空腔体、导管、光学窗口片、真空转接器及压片，所述光学真空腔体为任意形状平面的多面体，多面体的平面上设有光学窗口，光学窗口向多面体内延伸的孔洞形成同一内腔；所述光学窗口片固定于所述光学窗口上；所述导管一端固定连接光学真空腔体，另一端通过压片与真空转接器连接，真空转接器另一端连接真空泵。采用光胶真空键合工艺，该工艺实施过程始终在真空环境中进行，适当的温度和负压环境有利于被键合物体表面气体排出更好的形成物体间分子与分子之结合。本发明实现了真空腔体的工作区域内完全无金属物质的结构，使得工作区域不会受到不锈钢真空腔体的磁场干扰。
一种真空优于 10 base sup

[发明专利]YAG系列晶体的光学加工方法-CN201811473185.2有效
发明人：王军杰;尹保立;庞才印;陈杰;杨哲;王韵铮 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B24B13/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种YAG系列晶体的光学加工方法，属于激光晶体加工领域。所述方法包括：获取基准件，包括相垂直的水平板、竖直板；利用热熔胶将尺寸相同的多个晶体层叠于水平板上，且使多个晶体的沿轴向分布的第一侧面与竖直板粘接，并将第一固定件、第二固定件分别粘接于多个晶体的沿轴向分布的第二侧面、上表面上；填充多个晶体中的缝隙，然后对多个晶体研磨、抛光；将抛光后的多个晶体从基准件、第一固定件与第二固定件所构成的固定腔中取出，并去除每个晶体上的热熔胶；其中，热熔胶包括质量比为(7～8)：1:1的特级松香、蜂蜡与石蜡。本发明提高了晶体的光学加工效率，利于YAG系列晶体的成批加工。
yag 系列晶体光学加工方法

[发明专利]一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法-CN201410325773.7在审
发明人：张月娟;李兴旺;杨国利;王军杰;庞才印;莫小刚;王永国;夏士兴 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，属于激光晶体制备技术领域。该方法通过直接键合技术，将c轴晶向的氟化钇锂晶体预键合在a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的端部，得到第一中间产物；然后在垂直于第一中间产物键合面的方向上，对其进行施压处理，得到第二中间产物；最后在真空条件下，对第二中间产物进行热等静压处理，得到氟化钇锂复合晶体。制备得到的氟化钇锂复合晶体不存在轴向匹配问题，且具有低的热效应，利于减少晶体热致退偏损耗，并提高激光器的输出功率和光束质量。
一种氟化复合晶体及其制备方法

[发明专利]一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法-CN201310565663.3有效
发明人：夏士兴;莫小刚;庞才印;李兴旺;张月娟;朱建慧 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C30B31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法，属于激光晶体材料制备技术领域。所述方法包括：在惰性气氛下，分别将含有亚铁离子的掺杂物粉体以及硒化锌晶体放置在反应器高温区和低温区，通过热扩散来制备掺铁硒化锌晶体，进一步地，切割制备的掺铁硒化锌晶体，并使切割的掺铁硒化锌晶体的掺铁面之间进行热键合后，再次进行热扩散。本发明实施例惰性气氛的使用，可抑制低温区ZnSe晶体的挥发，从而显著提高低温区的温度，还可作为亚铁离子热扩散的载体，进而提高亚铁离子的掺杂浓度；通过切割掺铁硒化锌晶体，并将掺铁硒化锌晶体掺铁面间进行热键合后进行二次热扩散，进一步提高亚铁离子的掺杂浓度，更利于掺铁硒化锌晶体中亚铁离子的均匀分布。
一种掺铁硒化锌激光晶体制备方法

[发明专利]一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备-CN201310091223.9有效
发明人：杨国利;崔艳军;张月娟;马晓明;庞才印;毕海 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备，所述生长设备包括炉膛，所述炉膛的上方和下方分别设有气体进出的通孔，所述炉膛的上方设有用于打捞晶体生长产生的杂质的开口。所述氟化镁晶体的制备方法包括以下步骤：设置参数，在氟化镁晶体制备过程中，炉膛内通流动惰性气体；开始升温熔融氟化镁粉末，待完全熔融形成熔体后，打捞氟氧化物，下籽晶；得到生长后的氟化镁晶体。制备的氟化镁晶体光学质量优良，透过率@193nm不低于89%。
一种氟化晶体制备方法生长设备