[发明专利]采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管无效
| 申请号: | 201310090081.4 | 申请日: | 2013-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN103187529A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
| 发明(设计)人: | 程晓曼;梁晓宇;杜博群;白潇;樊建锋 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
| 主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300384 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | 一种采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管,由氧化铟锡(ITO)玻璃衬底兼栅电极、有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)栅绝缘层、有机半导体并五苯(Pentacene)钝化层、n型有机半导体C60有源层、Al源电极和Al漏电极叠加组成。本发明的优点是:以有机半导体材料并五苯超薄层作为绝缘层/有源层界面钝化层的有机场效应晶体管,一方面能减少电荷的俘获,使载流子更容易传输,另一方面,能够有效的改变有源层的形貌和结晶度,提高载流子的迁移率;本发明提供了一种提高n型有机场效应晶体管器件性能的有效方法,该方法工艺简单、易于实施,便于推广应用。 | ||
| 搜索关键词: | 采用 作为 绝缘 钝化 c60 有机 场效应 晶体管 | ||
【主权项】:
一种采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管,其特征在于:由氧化铟锡(ITO)玻璃衬底兼栅电极、有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)栅绝缘层、有机半导体并五苯(Pentacene)钝化层、n型有机半导体C60有源层、Al源电极和Al漏电极叠加组成,其结构表达式为ITO/PMMA/Pentacene/C60/Al。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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