[发明专利]一种硅通孔质量检测方法有效
| 申请号： | 201310088609.4 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104064487B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张武志 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅通孔质量检测方法，涉及半导体技术领域。本发明的硅通孔质量检测方法，通过在半导体器件的硅通孔上方形成测试结构，对半导体器件进行热处理使内部具有空洞的硅通孔的空洞发生膨胀进而使得测试结构的表面产生隆起，再利用缺陷检测机台来检测测试结构的表面异常情况，实现了对硅通孔内部的空洞缺陷的检测。该方法可以及时高效地发现硅通孔内部的空洞缺陷，定量且非破坏性给出缺陷数据，提高最终产品的良率，弥补了X射线检测及常规缺陷检测机台检测的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 质量 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔质量检测方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供形成有硅通孔的半导体器件；步骤S102：在所述半导体器件上形成覆盖所述硅通孔的测试结构，其中，所述测试结构包括覆盖所述硅通孔的金属层以及覆盖所述金属层的绝缘层，所述测试结构位于所述硅通孔上方的部分的上表面为平面；步骤S103：对所述半导体器件进行热处理，以使内部具有空洞的所述硅通孔的所述空洞发生膨胀进而使得所述测试结构的表面产生隆起；步骤S104：利用缺陷检测机台对经过热处理的所述半导体器件进行检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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