[发明专利]用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元无效
| 申请号： | 201310084292.7 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103137646A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;王艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元，其特征在于，该选通器件单元包括一个n-p二极管和一个p-n二极管，该n-p二极管和该p-n二极管的极性相反且并联连接，使该选通器件单元具有双向整流特性。本发明提供的这种用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元，具有双向整流特性，即在导通态时在任意电压极性下都能够提供较高的电流密度，同时在读电压下也具有较大的整流比(RV/2/RV)，因此能够抑制双极型阻变存储器交叉阵列结构中的读串扰现象，避免误读，解决了普通整流二极管只适用于单极型阻变存储器交叉阵列的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 双极型阻变 存储器 交叉 阵列 集成 方式 器件 单元 | ||
【主权项】：
一种用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元，其特征在于，该选通器件单元包括一个n‑p二极管(11)和一个p‑n二极管(12)，该n‑p二极管(11)和该p‑n二极管(12)的极性相反且并联连接，使该选通器件单元具有双向整流特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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