[发明专利]形成大马士革铜金属层的方法无效
| 申请号： | 201310082041.5 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103151303A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种形成大马士革铜金属层的方法，通过采用具有较大硬度和杨氏模量的硬掩膜层作为平坦化工艺如化学机械研磨工艺等的停止层，能够有效的平坦化工艺中的研磨过度，而导致介质层厚度差异情况的出现，进而提高器件的性能和稳定性，以提高产品的良率，同时降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 大马士革 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种形成大马士革铜金属层的方法，其特征在于，包括以下步骤：于一半导体结构衬底上从下至上顺序依次沉积刻蚀停止层、介电质层、硬掩膜层和介质抗反射层；采用光刻、刻蚀工艺，回蚀所述介质抗反射层至所述半导体结构衬底的上表面，形成大马士革沟槽；沉积阻挡层覆盖所述大马士革沟槽的底部及其侧壁；电镀金属充满所述大马士革沟槽并覆盖所述阻挡层的上表面，形成金属层；采用平坦化工艺去除部分所述金属层至剩余的硬掩膜层的上表面后，去除所述剩余的硬掩膜层，形成金属互联结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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