[发明专利]用于集成MEMS‑CMOS装置的方法和结构有效
| 申请号： | 201310076476.9 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103303859B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希;提-希斯·特伦斯·李;阿里·J·拉斯特加尔;姆谷拉尔·斯唐库;肖·查理斯·杨 | 申请（专利权）人： | 矽立科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人： | 余朦,王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造集成MEMS‑CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻（DRIE）的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构（MEMS）。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏（PID）。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成 mems cmos 装置 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种用于制造集成的MEMS‑COMS装置的方法，包括：提供具有表面区的基板构件；形成上覆盖所述表面区的CMOS IC层，所述CMOS IC层具有至少一个CMOS装置；形成上覆盖所述CMOS IC层的MEMS层，所述MEMS层具有MEMS接触区、CMOS接触区以及至少一个MEMS装置，其中所述至少一个MEMS装置耦合至所述MEMS接触区，并且所述至少一个CMOS装置耦合至所述CMOS接触区，所述CMOS接触区与所述MEMS接触区未耦合，所述至少一个MEMS装置与所述至少一个CMOS装置未耦合；以及在形成所述至少一个MEMS装置之后，经由MEMS跳线结构将所述MEMS接触区和所述CMOS接触区耦合，所述MEMS跳线结构将所述至少一个MEMS装置与所述至少一个CMOS装置电耦合。
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