[发明专利]一种双界面卡的制造方法与生产装置有效
申请号: | 201310076310.7 | 申请日: | 2013-03-11 |
公开(公告)号: | CN103199024A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 向泽亮 | 申请(专利权)人: | 向泽亮 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67;G06K19/07 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种双界面卡的制造方法与生产装置,制造方法包括以下步骤:冲切双界面芯片条带,吸住双界面芯片,放到槽位进行修正;每个锡铜片避空位预埋设置一锡铜片,并且,在卡片材料的各预设卡基部的位置,植入漆包铜线,将漆包铜线的两端分别采用碰焊方式,固定连接到对应的一锡铜片上;层压冲卡制作双界面卡的卡基部,将卡基部铣除部分卡片材料,分别露出锡铜片,冲出双界面卡的双界面芯片避空位;将铣槽后的双界面卡的卡基部的各锡铜片,与双界面芯片上对应的锡点,分别用激光焊接在一锡铜线上,然后采用切线单元切除多余的锡铜线;翻转双界面芯片,使其各读写触点向上;对双界面芯片进行位置修正,焊接得到双界面卡。 | ||
搜索关键词: | 一种 界面 制造 方法 生产 装置 | ||
【主权项】:
一种双界面卡的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:A1、冲切双界面芯片条带,得到双界面芯片,采用真空吸盘吸住所述双界面芯片,放到双界面芯片槽位进行修正,在双界面芯片背面的各触点,分别用锡线加热焊接形成锡点;A2、将锡铜条冲切成预设置形状的锡铜片,在卡片材料的各预设卡基部的位置,冲出两个锡铜片避空位,每个所述锡铜片避空位预埋设置一锡铜片,并且,在所述卡片材料的各预设卡基部的位置,植入漆包铜线,将所述漆包铜线的两端分别采用碰焊方式,固定连接到对应的一所述锡铜片上;A3、将所述卡片材料采用层压冲卡方式制作双界面卡的卡基部,用铣槽单元将所述卡基部铣除部分卡片材料,分别露出所述锡铜片以及双界面芯片避空槽,并在热熔胶条带上冲出所述双界面卡的双界面芯片避空位;A4、采用激光焊接单元,将铣槽后的所述双界面卡的卡基部的各锡铜片,与所述双界面芯片上对应的锡点,分别用激光焊接在一锡铜线上,然后采用切线单元切除多余的锡铜线;A5、采用芯片翻转单元,80至100度翻转所述双界面芯片,使其各读写触点向上,并通过芯片夹线单元整理所述双界面芯片与所述双界面卡之间的锡铜线,避免所述锡铜线存在所述双界面芯片安装后裸露在其外面的部分;A6、根据预设置的尺寸标准,分别通过一组左右修正机械单元与一组前后修正机械单元对所述双界面芯片进行位置修正,然后依序通过芯片点焊单元、芯片热焊单元、芯片冷焊单元,焊接得到所述双界面卡。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于向泽亮,未经向泽亮许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310076310.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:脚踏水车式卸料装置
- 下一篇:利用猪粪制作活性磷有机肥的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造