[发明专利]一种晶闸管芯片制备方法

摘要

本发明涉及一种晶闸管芯片制备方法，其中铝对通扩散方法中采用先光刻和腐蚀挖槽，然后依次对硅片进行双面蒸铝、预扩散、抛光和铝对通再扩散，使硅片形成铝对通隔离区。本发明将挖槽和抛光结合一起，使挖槽扩散缩短对通扩散时间，由抛光彻底去除铝层反刻残留的铝小岛，解决常规方法晶闸管芯片制备中硅片对通扩散存在的铝小岛问题，本发明能使晶闸管芯片成品率提高10%以上。

主权项

一种晶闸管芯片制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤： （1）常规方法清洗硅片；（2）在硅片选定做对通扩散的区域内，用光刻和腐蚀的方法两面对称的腐蚀挖槽，其挖槽宽60‑300微米、深20‑120微米；（3）在挖槽的硅片双面蒸铝，铝层厚度0.3‑3微米；（4）将挖槽内有铝层的硅片放在扩散炉内预扩散，温度600‑1200℃，时间1‑20小时；（5）将预扩散后的硅片双面抛光，单面去除厚度5‑15微米；（6）将抛光硅片在扩散炉内进行铝对通再扩散，温度1200‑1250℃、时间10‑50小时，形成铝对通隔离区。