[发明专利]一种制备多晶硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及制备多晶硅薄膜的方法技术领域，更具体地，属于制备多晶硅薄膜的方法的改进。一种制备多晶硅薄膜的方法，包括以下步骤：磁控溅射镀膜：用射频磁控溅射技术在石英片基底上沉积一层硅薄膜;快速光热退火处理：采用快速热退火技术对磁控溅射镀膜制备的硅薄膜进行热退火得到多晶硅薄膜。本发明可制备结晶率高且不含氢的多晶硅薄膜；可利用廉价的石英片作为基底，节约制造成本；同时本发明通过射频磁控溅射镀膜装置实现，结构简单、设备成本低、生产安全。

主权项

一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括磁控溅射镀膜步骤S1和快速光热退火步骤S2，所述的磁控溅射镀膜步骤S1包括以下步骤：S11.将石英基片用蒸馏水洗净之后，用无水酒精擦拭，风干；S12.打开磁控溅射镀膜机，将石英基片固定在托盘转台上，开启镀膜机电源，机械泵和分子泵开启，对工作室进行抽真空，至工作室的真空度为5.0×10‑4 Pa；S13.以硅作为靶材，预溅射除去硅靶表面的杂质；S14.开启挡板开始溅射，溅射功率为200W，溅射时间为9000s，托盘转速为20r/m，氩气的气流量为60sccm，工作气压0.2 Pa，取片温度为50 ℃；S15.在石英基片上沉积厚度为90nm~400nm的非晶硅薄膜；所述的快速光热退火步骤S2包括以下步骤：S21.以卤钨灯作为热源，开启电源，将S15中制备的非晶硅薄膜放入石英盒中，通入氮气并调节流量阀；S22.进行热退火实验，石英盒内温度降至200℃以下关闭电源。