[发明专利]带隙基准电路有效
申请号: | 201310067904.1 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN103309395A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 井上文裕 | 申请(专利权)人: | 三美电机株式会社 |
主分类号: | G05F3/30 | 分类号: | G05F3/30 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;郭凤麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可以容易地调整带隙基准电压的大小的带隙基准电路。带隙基准电路具备:根据由于晶体管(Q1)的基极发射极间的PN结的正向电压和晶体管(Q2)的基极发射极间的PN结的正向电压的电压差而在电阻(R0)中流过的基准电流(I0),作为基准电压输出带隙基准电压(VBG)的基准电压生成电路(23);对基准电流(I0)加减修正电流(It)的修正电流加减运算电路(22)。 | ||
搜索关键词: | 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种带隙基准电路,其特征在于,具备:基于由于第一半导体元件的PN结的正向电压和第二半导体元件的PN结的正向电压的电压差而生成的基准电流,输出基准电压的输出电路;以及对所述基准电流加减修正电流的加减运算电路。
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