[发明专利]实现浅沟槽隔离的工艺方法有效
| 申请号： | 201310062525.3 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103137543A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 白英英;张守龙;张冬芳;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种实现浅沟槽隔离的工艺方法，包括：提供硅衬底；对所述硅衬底进行曝光和刻蚀处理，形成第一浅沟槽隔离凹槽；在第一浅沟槽隔离凹槽以外的硅衬底上生长第一SiN层；往所述第一浅沟槽隔离凹槽中填充隔离材料；湿法工艺去除所述第一SiN层；在上述器件表面生长氧化层；在所述氧化层上生长第二SiN层；在上述器件上形成第二浅沟槽隔离凹槽，所述第二浅沟槽隔离凹槽与所述第一浅沟槽隔离凹槽相互对准；往所述第二浅沟槽隔离凹槽中填充隔离材料。本发明在相同工艺条件下，不需要引进新材料就可以提高浅沟槽隔离的填充能力，保证隔离材料的隔离效果。同时提高CMP的平坦化能力。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 沟槽 隔离 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种实现浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；对所述硅衬底进行曝光和刻蚀处理，形成第一浅沟槽隔离凹槽；在第一浅沟槽隔离凹槽以外的硅衬底上生长第一SiN层；往所述第一浅沟槽隔离凹槽中填充隔离材料；湿法工艺去除所述第一SiN层；在上述器件表面生长氧化层；在所述氧化层上生长第二SiN层；在上述器件上形成第二浅沟槽隔离凹槽，所述第二浅沟槽隔离凹槽与所述第一浅沟槽隔离凹槽相互对准；往所述第二浅沟槽隔离凹槽中填充隔离材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310062525.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：控制臂架回转的闭式液压回路和起重机
- 下一篇：一种炼钢烤罐器盖的升降机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
