[发明专利]一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法

摘要

本发明属于集成电路工艺领域，具体涉及一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法。由于α-Ta更容易生长于氮含量丰富的氮化钽层之上，通过用含氮的等离子体对氮化钽层进行处理，可以显著得提升氮化钽层中的氮含量，从而可以在氮化钽层较薄的情况下生长得到低电阻率的α-Ta，以达到制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的目的。相比于传统的通过调整氮化钽生长过程中的工艺参数来调整氮化钽层中的氮含量，本发明所提出的通过用含氮的等离子体对氮化钽层进行处理来提升氮化钽层中的氮含量的整个过程更易操作也更容易控制。

主权项

一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法，包括：在提供的半导体基底上生长氮化钽阻挡层；其特征在于，用含氮的等离子体对所形成的氮化钽阻挡层进行处理；在所述氮化钽阻挡层之上生长钽阻挡层,所得到的钽阻挡层和氮化钽阻挡层构成双层阻挡层结构。