[发明专利]存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统有效
| 申请号： | 201310059142.0 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137181B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线。所述编程方法包括在第一时刻，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；在第二时刻，施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第二时刻滞后于所述第一时刻，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用一条源线。本发明技术方案提供的存储阵列的编程方法和电压提供系统，避免了因同时施加电压造成的对存储单元误编程的问题，并且，降低了对存储阵列编程过程中的功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 存储 阵列 编程 方法 电压 提供 系统 | ||
【主权项】：
一种存储阵列的编程方法，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线，其特征在于，包括：第一电荷泵电路在第一时刻开始工作，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；第二电荷泵电路在第二时刻开始工作，施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第二时刻滞后于所述第一时刻，所述第二存储单元是需要编程的存储单元，所述第一存储单元是与所述第二存储单元共用一条源线但不需要编程的存储单元。
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