[发明专利]一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法有效
| 申请号： | 201310058854.0 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103165811A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 苏晓东;张婧娇;郑磊 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L39/12 | 分类号： | H01L39/12;H01L39/24;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明制备一种硅基氮化铌薄膜超导材料，包括Si基底、TiN过渡层，以及NbN层。由于直接在Si基片上生长NbN薄膜有较大的晶格失配度，会导致NbN薄膜中存在一定厚度非超导的界面畸变层，严重降低NbN的超导性能。而TiN和NbN同属面心立方结构，而且晶格失配度较小，因此使用TiN过渡层大幅减小了NbN薄膜中的界面畸变层厚度，同时NbN结晶性得到改善，从而提高了其超导性能；并且NbTiN本身是一种Tc较高的超导材料，TiN中的Ti和N两种元素即使进入到NbN薄膜不会降低，反而会提升其超导性能。同时，本发明还提出了该硅基氮化铌薄膜超导材料的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 超导 材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基氮化铌薄膜超导材料，其特征在于：包括抛光硅单晶基底、位于该硅单晶基底上的氮化钛过渡层，以及位于该氮化钛过渡层上的氮化铌层。
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