[发明专利]光刻工艺参数确定方法及装置无效
| 申请号： | 201310055981.5 | 申请日： | 2013-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103135364A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 操彬彬;黄文同;黄寅虎;赵娜 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 230011 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻工艺参数确定方法及装置，属于液晶显示领域。其中，该光刻工艺参数确定方法包括：在一张基板上形成多个不同膜厚的光刻胶区域；在预设的曝光模式下对所述基板上的光刻胶进行曝光显影，并测量每一光刻胶区域显影图案对应的光刻指标参数；确定所述光刻指标参数为最优时所对应的光刻胶膜厚和曝光模式。本发明的技术方案能够在仅使用一片基板的条件下，获取光刻指标参数最优时所对应的光刻工艺参数，大大减少了光刻胶和基板的使用，节约了测试时间。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 参数 确定 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种光刻工艺参数确定方法，其特征在于，包括：在一张基板上形成多个不同膜厚的光刻胶区域；在预设的曝光模式下对所述基板上的光刻胶进行曝光显影，并测量每一光刻胶区域显影图案对应的光刻指标参数；确定所述光刻指标参数为最优时所对应的光刻胶膜厚和曝光模式。
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