[发明专利]氮化镓基增强耗尽型电平转换电路

摘要

本发明公开了一种氮化镓基增强耗尽型电平转换电路，主要解决现有技术尚不能将电平转换电路和氮化镓基电路集成到一个衬底上的缺点。本发明包括第一反相电路，第一输出电路，第二反相电路，第二输出电路等四个部分。第一反相电路将输入电平反相，第一输出电路将第一反相电路反相后的电平下拉，第二反相电路将第一输出电路的输出反相，第二输出电路将第二反相电路反相后的电平下拉。本发明电路结构简单，所用半导体器件工艺实现简单，能够将电平转换电路与氮化镓基电路集成到一个衬底上，提高了可靠性，降低了串扰。

主权项

一种氮化镓基增强耗尽型电平转换电路，包括第一反相电路，第一输出电路，第二反相电路，第二输出电路；所述的第一反相电路的输出端与第一输出电路的输入端相接，第一输出电路的输出端与第二反相电路的输入端相接，第二反相电路的输出端与第二输出电路的输入端相接；其中：所述的第一反相电路单元中的耗尽型高电子迁移率晶体管T1的漏极接正偏置线，T1的源极和其栅极短接后，分别与增强型高电子迁移率晶体管T2的漏极和第一输出电路单元中的增强型高电子迁移率晶体管T3的栅极相连；T2的栅极接输入VIN，T2的源极接地线；所述的第一输出电路单元中的T3的漏极接正偏置线，T3的栅极接T2的漏极，T3的源极接肖特基二极管D1的正极；D1的负极接肖特基二极管D2的正极，D2的负极接肖特基二极管D3的正极，D3的负极接肖特基二极管D4的正极；D4的负极接耗尽型高电子迁移率晶体管T4的漏极，T4的栅极和源极接负偏置线，T4的漏极接耗尽型高电子迁移率晶体管T6的栅极和第二输出VOUT1；所述的第二反相电路单元中的增强型高电子迁移率晶体管T5的漏极接正偏置线，T5的源极和其栅极短接后，分别与T6的漏极和第二输出电路单元中耗尽型高电子迁移率晶体管T7的栅极相接；T6的栅极接第一输出VOUT1，T6的源极接地线；所述的第二输出电路单元中的T7的漏极接正偏置线，T7的栅极接T6的的漏极，T7的源极接肖特基二极管D5的正极；D5的负极接肖特基二极管D6的正极，D6的负极接肖特基二极管D7的正极，D7的负极接肖特基二极管D8的正极；D8的负极接增强型高电子迁移率晶体管T8的漏极，T8的栅极和源极接负偏置线，T8的漏极接第二输出VOUT2。