[发明专利]太阳能电池的制作方法有效
申请号: | 201310050859.9 | 申请日: | 2013-02-08 |
公开(公告)号: | CN103985780A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 王懿喆;金光耀;洪俊华 | 申请(专利权)人: | 上海凯世通半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法,包括:在衬底的背面中形成第一导电类型掺杂层;在该衬底的背面中形成凹槽和第一导电类型掺杂区域;通过离子注入的方式形成第二导电类型掺杂区域;对该衬底进行退火处理以在该第一导电类型区域、该第二导电类型掺杂区域和该凹槽的侧壁上形成一第一钝化层;在该第一钝化层上形成一第一金属层;对该第一金属层进行化学刻蚀以去除该凹槽的侧壁上的该第一金属层以在该第一导电类型区域上形成第一电极,在该第二导电类型掺杂区域上形成第二电极。本发明提供了一种自对准的太阳能电池制作方法,彻底解决了太阳能电池制作过程中的对准问题,极大简化了工艺步骤。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、在一衬底的背面中形成一第一导电类型掺杂层;步骤S2、在该第一导电类型掺杂层上形成一掩膜,未被该掩膜覆盖的区域为开放区域,刻蚀该开放区域的该第一导电类型掺杂层直至暴露出该衬底由此在该衬底的背面中形成凹槽和第一导电类型掺杂区域,该第一导电类型掺杂区域为未经刻蚀的该第一导电类型掺杂层;步骤S3、通过离子注入的方式将第二导电类型离子注入至该凹槽中以形成第二导电类型掺杂区域,并且去除该掩膜;步骤S4、对该衬底进行退火处理以在该第一导电类型区域、该第二导电类型掺杂区域和该凹槽的侧壁上形成一第一钝化层;步骤S5、在该第一钝化层上形成一第一金属层;步骤S6、对该第一金属层进行化学刻蚀以去除该凹槽的侧壁上的该第一金属层以在该第一导电类型区域上形成第一电极,在该第二导电类型掺杂区域上形成第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海凯世通半导体有限公司,未经上海凯世通半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310050859.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:绞车辅助运输器用防逆转装置
- 下一篇:通风吸波材料
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的