[发明专利]太阳能电池的制作方法有效

专利信息
申请号: 201310050859.9 申请日: 2013-02-08
公开(公告)号: CN103985780A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 王懿喆;金光耀;洪俊华 申请(专利权)人: 上海凯世通半导体有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池的制作方法,包括:在衬底的背面中形成第一导电类型掺杂层;在该衬底的背面中形成凹槽和第一导电类型掺杂区域;通过离子注入的方式形成第二导电类型掺杂区域;对该衬底进行退火处理以在该第一导电类型区域、该第二导电类型掺杂区域和该凹槽的侧壁上形成一第一钝化层;在该第一钝化层上形成一第一金属层;对该第一金属层进行化学刻蚀以去除该凹槽的侧壁上的该第一金属层以在该第一导电类型区域上形成第一电极,在该第二导电类型掺杂区域上形成第二电极。本发明提供了一种自对准的太阳能电池制作方法,彻底解决了太阳能电池制作过程中的对准问题,极大简化了工艺步骤。
搜索关键词: 太阳能电池 制作方法
【主权项】:
一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、在一衬底的背面中形成一第一导电类型掺杂层;步骤S2、在该第一导电类型掺杂层上形成一掩膜,未被该掩膜覆盖的区域为开放区域,刻蚀该开放区域的该第一导电类型掺杂层直至暴露出该衬底由此在该衬底的背面中形成凹槽和第一导电类型掺杂区域,该第一导电类型掺杂区域为未经刻蚀的该第一导电类型掺杂层;步骤S3、通过离子注入的方式将第二导电类型离子注入至该凹槽中以形成第二导电类型掺杂区域,并且去除该掩膜;步骤S4、对该衬底进行退火处理以在该第一导电类型区域、该第二导电类型掺杂区域和该凹槽的侧壁上形成一第一钝化层;步骤S5、在该第一钝化层上形成一第一金属层;步骤S6、对该第一金属层进行化学刻蚀以去除该凹槽的侧壁上的该第一金属层以在该第一导电类型区域上形成第一电极,在该第二导电类型掺杂区域上形成第二电极。
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