[发明专利]一种PMOS晶体管的制造方法

摘要

本发明提供了一种PMOS晶体管的制造方法，先在预掺杂制备形成源、漏区的应力填充层中刻蚀形成第二沟槽，其中，在栅区域下的第二沟槽侧壁，邻近形成应力填充层之前的被保留的部分轻掺杂源漏延伸区，而后填充该第二沟槽以形成掺杂浓度高于应力填充层的调节层，从而在避免源漏区产生穿通电流的同时，提高源、漏区表面的Ge和B掺杂浓度；一方面，补充该被保留的部分轻掺杂源漏延伸区中流失的B掺杂杂质，增加该轻掺杂源漏延伸区B掺杂浓度，进而降低沟道区与源、漏区的电阻，降低沟道区的电场，提高工作电流；另一方面，增加源、漏区对沟道区施加的应力，提高器件沟道区的载流子迁移率，增加PMOS晶体管的工作电流。

主权项

一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上制备栅区域，并对所述栅区域下方邻接预制备源、漏区的区域进行B离子轻掺杂注入，形成轻掺杂源漏延伸区； 2）在所述栅区域两侧沉积第一保护侧墙，在所述栅区域两侧的所述半导体衬底内刻蚀出第一沟槽，并在所述栅区域下保留部分轻掺杂源漏延伸区； 3）在所述第一沟槽内外延生长应力填充层以填充满所述第一沟槽；4）在所述栅区域两侧的所述应力填充层内刻蚀出第二沟槽，其中，所述第二沟槽使栅区域部分悬空于所述应力填充层之上，同时在所述栅区域下的所述第二沟槽侧壁邻近被保留的部分轻掺杂源漏延伸区； 5）外延生长调节层以填充满所述第二沟槽，而后进行退火，其中，所述调节层与应力填充层的掺杂类型相同，同时，所述调节层的掺杂浓度高于所述应力填充层的掺杂浓度； 6）以所述栅区域为掩膜，对位于栅区域两侧且形成有所述调节层和应力填充层的半导体衬底进行离子注入形成源区及漏区。