[发明专利]像素结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310048763.9 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103543566A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈建翰;王志诚;陈世芳 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种像素结构及其制造方法，该像素结构包括第一图案化透明导电层、主动层、绝缘层以及第二图案化透明导电层。第一图案化透明导电层配置于基板上。第一图案化透明导电层包括源极、漏极以及连接至漏极的像素电极。主动层连接源极以及漏极。绝缘层覆盖源极、漏极以及主动层。第二图案化透明导电层配置于绝缘层上。第二图案化透明导电层包括配置于主动层上方的栅极以及配置于像素电极上方的共享电极。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种像素结构，其特征在于其包括：第一图案化透明导电层，配置于基板上，该第一图案化透明导电层包括源极、漏极以及连接至该漏极的像素电极；主动层，连接该源极以及该漏极；绝缘层，覆盖该源极、该漏极以及该主动层；以及第二图案化透明导电层，配置于该绝缘层上，该第二图案化透明导电层包括配置于该主动层上方的栅极以及配置于该像素电极上方的共享电极。
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