[发明专利]一种单晶石墨烯的化学气相沉积制备方法

摘要

本发明公开的单晶石墨烯的化学气相沉积制备方法，以使用微机械力将石墨用胶带撕裂出的单晶石墨烯黏贴到Si或Si/SiO2复合层再转移至金属基底上，作为单晶石墨烯籽晶层；通过化学气相沉积法，先通入还原性气体，去除基底上金属氧化物；再通入碳源气体和还原性气体反应生长，得到单晶石墨烯。本发明解决了CVD法难以获得单晶石墨烯的困难，所制备得到的单晶石墨烯，其尺寸可达厘米量级。

主权项

一种单晶石墨烯的化学气相沉积制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤：1）将金属基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗干净，吹干；2）使用微机械力方法，将石墨用胶带撕裂出单晶石墨烯黏贴到Si或Si/SiO2复合层上，再转移至金属基底上，作为单晶石墨烯籽晶层；3）将金属基底放置在CVD装置的恒温加热区，并将CVD装置抽真空至1mTorr以内；4）将金属基底在5‑60分钟内升至200‑1200℃，并且通入0.5‑1000sccm流量的还原性气体，保持CVD装置反应腔压强为0.01‑100 Torr，去除基底上金属氧化物；5）保持金属基底温度为200‑1200℃，反应腔压强为0.01‑100 Torr，同时通入5‑1000 sccm流量的碳源气体和5‑500sccm流量的还原性气体，反应5‑600分钟后，将金属基底在2‑500分钟降温至室温，从CVD装置取出，得到单晶石墨烯。