[发明专利]读出电路有效
| 申请号： | 201310041874.7 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103117080B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种读出电路，用于将存储单元的信息放大输出，其包括参考支路镜像恒流源、参考存储单元、译码控制电路、传输电路及输出电路，其中，该参考支路镜像恒流源包括第一参考管、第二参考管及电压隔离电路，该电压隔离电路接于该第一参考管的栅极与漏极之间，用于将该第一参考管的栅漏隔开以利于提高该第一参考管饱和导通，本发明通过在参考支路镜像恒流源参考管间接入一电压隔离电路将第一参考管的栅漏隔开以提高第一参考管饱和导通，从而使得本发明可适合于低电压如小于1.2V时工作，扩展了闪存的读出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种读出电路，用于将存储单元的信息放大输出，包括参考支路镜像恒流源、参考存储单元、译码控制电路、传输电路及输出电路，其特征在于：该参考支路镜像恒流源包括第一参考管、第二参考管及电压隔离电路，该电压隔离电路接于该第一参考管的栅极与漏极之间，用于将该第一参考管的栅漏隔开以在保证该第一参考管饱和导通的同时，提高该第一参考管漏极节点的电位；该第一参考管漏极接该参考存储单元，该第二参考管漏极通过该传输电路、该译码控制电路接存储单元，同时该第二参考管漏极还接至该输出电路；该第一参考管与第二参考管的源极均连接于一电源电压，栅极互连。
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