[发明专利]适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310040103.6 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN103105011A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 陆卫;陈飞良;王少伟;俞立明;刘星星;简明;郭少令;陈效双;王晓芳 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所;上海德福光电技术有限公司
主分类号: F24J2/48 分类号: F24J2/48;B32B15/04;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/14;C23C14/16
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。该太阳能选择性吸收膜系自下而上依次包括镀制在金属基底上的红外高反射银薄膜、铜薄膜、钛铝氮氧薄膜、氧化锌锡锑薄膜以及二氧化硅薄膜。本发明的吸收膜系太阳能吸收率大于96%,发射率小于2%,具有超低发射率,光热转换效率高的特点,同时膜系中的氧化锌锡锑材料镀膜速率高,利于提高生产效率。该膜系可广泛应用于太阳能光热转换的集热器,适合于太阳能热利用在建筑一体化产品方面的应用,尤其适合于中高温太阳能热利用产品的广泛使用。本发明的吸收膜系可通过工业化磁控溅射制备方法在大面积基底上连续镀制,实现低成本大规模高效生产。
搜索关键词: 适于 中高 温热 利用 太阳能 选择性 吸收 及其 制备 方法
【主权项】:
一种适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系,其特征在于,膜系的结构为:在基底(1)上自下而上依次为银膜(2),铜膜(3)、钛铝氮氧薄膜(4)、氧化锌锡锑薄膜(5)以及二氧化硅薄膜(6),即:基底/Ag/Cu/TiAlxNyOz/ZnSnSbOx/SiO2其中:所述的基底(1)是Cu箔片、Al箔片、Ni箔片、Cr箔片或不锈钢箔片;所述的Ag膜(2)厚度范围为100~200nm;所述的铜膜(3)厚度范围为5nm~20nm;所述的钛铝氮氧薄膜(4)TiAlxNyOz中,Ti、Al、N、O四种元素的原子比范围为Ti:Al:N:O=1:0~1:0.5~1:1~2,厚度范围为50nm~150nm;所述的氧化锌锡锑薄膜(5)厚度范围为40nm~150nm;所述的二氧化硅薄膜(6)厚度范围为50nm~150nm。
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