[发明专利]适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法

权利要求书

1.一种适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系，其特征在于,膜系的结构为:在基底（1）上自下而上依次为银膜（2），铜膜（3）、钛铝氮氧薄膜（4）、氧化锌锡锑薄膜（5）以及二氧化硅薄膜（6），即:

基底/Ag/Cu/TiAl_xN_yO_z/ZnSnSbO_x/SiO₂

其中：

所述的基底（1）是Cu箔片、Al箔片、Ni箔片、Cr箔片或不锈钢箔片；

所述的Ag膜（2）厚度范围为100～200nm；

所述的铜膜（3）厚度范围为5nm～20nm；

所述的钛铝氮氧薄膜（4）TiAl_xN_yO_z中，Ti、Al、N、O四种元素的原子比范围为Ti:Al:N:O=1:0~1:0.5~1:1~2，厚度范围为50nm～150nm；

所述的氧化锌锡锑薄膜（5）厚度范围为40nm～150nm；

所述的二氧化硅薄膜（6）厚度范围为50nm～150nm。

2.一种如权利要求书1所述的适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系的制备方法，其特征在于：

所述的Ag膜（2）的制备采用金属Ag靶材，以Ar气作为溅射气体，进行磁控溅射镀膜；

所述的Cu薄膜（3）的制备采用金属Cu靶材进行溅射镀膜；

所述的钛铝氮氧薄膜（4）的制备方法为磁控溅射镀膜，采用金属TiAl合金靶材，同时以氮气和氧气两种反应气体进行反应溅射，通过控制氩气、氮气和氧气的流量比或气压比控制TiAl_xN_yO_z薄膜中各元素的组分比；或采用TiAl_xN_y陶瓷靶材，以氧气作为反应气体进行反应溅射，通过控制氩气和氧气的流量比或气压比控制TiAl_xN_yO_z薄膜中各元素的组分比；或采用按预先设定的Ti、Al、N、O四种元素原子比烧结好的TiAl_xN_yO_z陶瓷靶材，直接进行溅射镀膜；

所述的氧化锌锡锑薄膜（5）的制备采用ZnSnSb合金靶材，以氧气作为反应气体进行反应溅射；或采用以ZnO、SnO₂、Sb₂O₃按所需比例烧制成的ZnSnSbO_x陶瓷靶材直接进行溅射镀膜；

所述的二氧化硅薄膜（6）的制备采用Si靶材，以氧气作为反应气体进行反应溅射；或采用SiO₂陶瓷靶材直接进行溅射镀膜。