[发明专利]PNP结构的激光光伏电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310038717.0 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103247635A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 赵春雨;董建荣;于淑珍;赵勇明;李奎龙;孙玉润;曾徐路;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;H01L31/0352;H01L31/0693;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种PNP结构的激光光伏电池，所述光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上反向P/N结、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层，所述反向P/N结包括依次形成于所述半绝缘衬底上的P型层和N型层，所述P/N结电池包括沿远离半绝缘衬底方向依次设置的N型吸收层和P型吸收层。本发明还公开了一种激光光伏电池的制备方法。本发明有效地解决了半绝缘衬底光照下导致的漏电问题，制作的光伏电池具有并联电阻高、漏电小和转换效率高的优点，同时降低了器件对GaAs衬底绝缘性能的要求。 | ||
| 搜索关键词： | pnp 结构 激光 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种PNP结构的激光光伏电池，其特征在于：所述光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上反向P/N结、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层，所述反向P/N结包括依次形成于所述半绝缘衬底上的P型层和N型层，所述P/N结电池包括沿远离半绝缘衬底方向依次设置的N型吸收层和P型吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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