[发明专利]一种电泵浦垂直扩展腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201310037025.4 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103094834A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张星;宁永强;秦莉;刘云;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 田春梅 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的电泵浦垂直扩展腔面发射半导体激光器属于半导体激光器领域，该激光器包括下电极，P型DBR层、有源层、第一N型DBR层、衬底层、第二N型DBR层、外延增透层、周期性光子晶体缺陷微腔结构和上电极；P型DBR层、有源层及第一N型DBR层构成一个谐振腔；第一N型DBR层、第二N型DBR层及周期性光子晶体缺陷微腔结构形成第二个谐振腔。本发明的有益效果是：该激光器的谐振腔具有三组DBR层，通过在最外层的DBR层上制备周期性光子晶体缺陷微腔结构，实现单模工作模式选择，同时不会对器件的有源层造成损伤。采用多层金属薄膜构成下电极以效降低串联电阻。采用单片集成结构，便于配置到集成光路系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电泵浦 垂直 扩展 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种电泵浦垂直扩展腔面发射半导体激光器，其特征在于：该激光器为空筒结构，包括下电极（1），P型DBR层（2）、有源层（3）、第一N型DBR层（4）、衬底层（5）、第二N型DBR层（6）、外延增透层（7）、周期性光子晶体缺陷微腔结构（8）和上电极（9）；第一N型DBR层（4）生长于衬底层（5）的下端，第一N型DBR层（4）的下端顺次生长有有源层（3）、P型DBR层（2）和下电极（1）；所述第二N型DBR层（6）和上电极（9）都生长于衬底层（5）的上端面，上电极（9）套在第二N型DBR层（6）外壁的外侧，外延增透层（7）生长于第二N型DBR层（6）的外端面；在所述第二N型DBR层（6）和外延增透层（7）上设有周期性光子晶体缺陷微腔结构（8）。
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