[发明专利]用于沉积含过渡金属的膜的杂配型环戊二烯基过渡金属前体

摘要

本发明涉及使膜沉积于一个或多个基板上的方法及组合物，其包括提供反应器，该反应器中安置有至少一个基板。提供至少一种金属前体且将其至少部分沉积于该基板上以形成含金属的膜。也公开了通过在合成条件下形成杂配型的含脒基或胍基环戊二烯基的过渡金属前体的方法。

主权项

1.一种合成杂配型环戊二烯基过渡金属前体的方法，其包含进行至少一个反应以形成含金属的前体，其中含金属的前体包含具有以下通式的前体：M(R₁-N-C(R₂)=N-R₃)_n(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)_mL_k（I）其中：-M为至少一个选自由以下组成的组的成员：Mn、Fe、Ni、Co、Cu、Pd、Pt、Ag、Au、Ru、Os、Rh、Ir及Re；-(R₁-N-C(R₂)=N-R₃)为脒或胍配体；-(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)为经取代或未经取代的环戊二烯基配体；-R₁、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇及R₈是独立地选自H、C₁-C₅烷基及Si(R')₃，其中R'是独立地选自H及C₁-C₅烷基；-R₂是独立地选自H、C₁-C₅烷基及NR'R''，其中R'及R″是独立地选自C₁-C₅烷基；-L为中性配体；-1≤m≤4；-1≤n≤4；和-0≤k≤5，其中该前体是根据选自以下的合成反应形成的：a)路线-1其中：-X是独立地选自Cl、Br及I；-N是独立地选自Li、Na及K；-L及Q为中性配体；-0≤j≤5；和-0≤p≤5;b)路线2-1其中：-N是独立地选自H、Li、Na及K；c)路线2-2其中：-N是独立地选自H、Li、Na及K；d)路线3-1其中：-X是独立地选自Cl、Br及I；-N是独立地选自Li、Na及K；-L及Q为中性配体；-0≤j≤5；和-0≤p≤5；和e)路线-3-2其中：-X是独立地选自Cl、Br及I；-N是独立地选自Li、Na及K；-L及Q为中性配体；-0≤j≤5；和-0≤p≤5。