[发明专利]半导体基底、半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310036289.8 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN103151433A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 酒井士郎 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;鲁恭诚 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例提供了一种使用重复利用的基底制造发光装置的方法，所述方法包括：在重复利用的基底上生长化合物半导体层的步骤；通过化合物半导体层分离重复利用的基底的步骤；在半导体中形成多个腔的步骤；通过利用HF、KOH或NaOH中之一的化学处理来蚀刻表面的步骤；将重复利用的基底的分离的化合物半导体表面平坦化的步骤；其中，化学蚀刻工艺的步骤产生不规则的半导体表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种使用重复利用的基底制造发光装置的方法，所述方法包括：在重复利用的基底上生长化合物半导体层的步骤；通过化合物半导体层分离重复利用的基底的步骤；在半导体中形成多个腔的步骤；通过利用HF、KOH或NaOH中之一的化学处理来蚀刻表面的步骤；将重复利用的基底的分离的化合物半导体表面平坦化的步骤；其中，化学蚀刻工艺的步骤产生不规则的半导体表面。
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