[发明专利]发光二极管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310029669.9 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103227270A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 片山博之;大薮恭也;佐藤慧 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供发光二极管装置及其制造方法，该发光二极管装置的制造方法具备：准备封装树脂层的工序；将发光二极管元件埋设在封装树脂层中的工序；以及边利用气体对埋设有发光二极管元件的封装树脂层加压、边进行加热的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，其为制造发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置的方法，所述方法包括如下工序：准备封装树脂层的工序；将发光二极管元件埋设在所述封装树脂层中的工序；以及边利用气体对埋设有所述发光二极管元件的所述封装树脂层加压、边进行加热的工序。
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