[发明专利]制造非易失性存储器件的方法

摘要

本发明公开了一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤在衬底上形成交替层叠有多个第一层间绝缘层和多个牺牲层的结构；形成被构造成穿通所述结构的主沟道孔；在所述主沟道孔的内壁上顺序地形成初级电荷陷阱层、隧道绝缘层和沟道层；形成构造为穿通在每个主沟道孔的两侧的所述多个牺牲层的沟槽；以及通过氧化在所述第一层间绝缘层的内侧上的所述初级电荷陷阱层来形成绝缘氧化物层。根据这种技术，因为对于每个存储器单元电荷陷阱层是分隔开的，可以防止电荷的散布并可以改善非易失性存储器件的可靠性。

主权项

一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成交替层叠有多个第一层间绝缘层和多个牺牲层的结构；形成构造为穿通所述结构的主沟道孔；在所述主沟道孔的内壁上顺序地形成初级电荷陷阱层、隧道绝缘层和沟道层；形成构造为穿通每个主沟道孔的两侧的所述多个牺牲层和所述多个第一层间绝缘层的沟槽；以及通过将所述第一层间绝缘层的内侧上的所述初级电荷陷阱层氧化，来形成绝缘氧化物层。