[发明专利]一种ZrB2-SiC(w)陶瓷原料的制备方法

摘要

本发明公开了一种ZrB2-SiC(w)陶瓷原料的制备方法，以锆英石、B2O3、电极粉和SiO2微粉为主要原料，加入催化剂，以50～100MPa的压力压制成型并在保护气存在的条件下高温烧制而成。本发明用价格相对较低的原料来制备ZrB2-SiC(w)，解决了ZrB2价格昂贵、强度低和韧性差的问题；采用原位合成方法，SiC(w)在ZrB2基体中分布均匀，解决SiC(w)难分散的问题；通过引入1-3%的催化剂和控制工艺参数来调控SiC(w)的形貌，可制备出满足不同需求的陶瓷原料；本发明所制备的ZrB2-SiC(w)原料的重量百分比大于97%，使其易于工业化应用。本发明工艺相对简单，烧结炉容积大，易于规模化生产。

主权项

一种ZrB2‑SiC(w)陶瓷原料的制备方法，以锆英石、B2O3、电极粉和SiO2微粉为主要原料，辅以催化剂，采用高温炉原位烧制合成ZrB2‑SiC(w)陶瓷原料，各种原料混练均匀后以50～100MPa的压力压制成型，坯体干燥后置于烧结炉中，升温前先将炉膛抽真空，然后通入高纯氩气，升温至1100～1200℃并保温0.5～1小时；继续升温至1500～1650℃并保温1～9小时，冷却后在气流磨中粉碎至200目以下即可；原料按质量比为：锆英石:电极粉:氧化硼 =100: 120～180: 150～200，占锆英石、电极粉和氧化硼总量10～20%的SiO2微粉，外加占上述物料总质量1～3％的催化剂，催化剂为Fe、Co和Ni的一种或几种。