[发明专利]一种晶圆自对准硅通孔连接方法

摘要

本发明涉及一种晶圆自对准硅通孔连接方法，包括以下步骤：将内部均淀积有用作刻蚀停止层的金属的两片晶圆键合连接；将顶层晶圆减薄；通过图形化工艺在顶层晶圆表面上制作图案，定位通孔制作区域；从顶层晶圆到底部晶圆之间制作通孔；清洗通孔；在通孔底部和侧壁上淀积一层阻挡层和种子层；在通孔里面淀积金属，填充通孔；顶层晶圆表面平坦化。本发明的有益效果是，将顶层晶圆减薄，降低制作通孔的深度，使得蚀刻容易进行，并且通孔易填充；使用金属作为停止层实现的晶圆自对准硅通孔连接方法。

主权项

一种晶圆自对准硅通孔连接方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤一：将内部均淀积有用作刻蚀停止层的金属的顶层晶圆和位于所述顶层晶圆下方的底层晶圆键合连接；步骤二：将所述顶层晶圆减薄；步骤三：在所述顶层晶圆朝外的表面上制作图案，定位通孔制作区域；步骤四：从所述顶层晶圆到底部晶圆之间制作通孔；步骤五：清洗通孔；步骤六：在通孔底部和侧壁上淀积一层阻挡层和种子层；步骤七：在通孔里面淀积金属，填充通孔；步骤八：去除顶层晶圆朝外的表面上的金属，将顶层晶圆朝外的表面平坦化。