[发明专利]MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置无效
| 申请号： | 201310009608.6 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103088318A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 冉军学;胡强;胡国新;梁勇;熊衍凯;王军喜;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置，包括：一第一气体入口；一第一气体出口；一第一直通阀门的一端与第一气体入口连通，该第一直通阀门的另一端与第一气体出口连通；一第一旁通阀门的一端与第一直通阀门的一端连接；一第二旁通阀门的一端与第一直通阀门的另一端连接；一第二气体入口；一第二气体出口；一第二直通阀门的一端与第二气体入口连通，该第二直通阀门的另一端与第二气体出口连通；一第三旁通阀门的一端与第二直通阀门的一端连接，该第三旁通阀门的另一端与第一旁通阀门的另一端连接；一第四旁通阀门的一端与第二直通阀门的另一端连接，该第四旁通阀门的另一端与第二旁通阀门的另一端连接；一气体混合器位于第一旁通阀门及第二旁通阀门之间并与之连通。 | ||
| 搜索关键词： | mocvd 设备 反应 室进气 气体 混合 隔离 装置 | ||
【主权项】：
一种MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置，包括：一第一气体入口；一第一气体出口；一第一直通阀门，该第一直通阀门的一端与第一气体入口连通，该第一直通阀门的另一端与第一气体出口连通；一第一旁通阀门，该第一旁通阀门的一端与第一直通阀门的一端连接；一第二旁通阀门，该第二旁通阀门的一端与第一直通阀门的另一端连接；一第二气体入口；一第二气体出口；一第二直通阀门，该第二直通阀门的一端与第二气体入口连通，该第二直通阀门的另一端与第二气体出口连通；一第三旁通阀门，该第三旁通阀门的一端与第二直通阀门的一端连接，该第三旁通阀门的另一端与第一旁通阀门的另一端连接；一第四旁通阀门，该第四旁通阀门的一端与第二直通阀门的另一端连接，该第四旁通阀门的另一端与第二旁通阀门的另一端连接；一气体混合器，该气体混合器位于第一旁通阀门及第二旁通阀门之间并与之连通。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
