[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201310006397.0 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103915326B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种自对准金属硅化物的形成方法和半导体器件，所述自对准金属硅化物的形成方法包括：在硅层上形成掺杂区；在掺杂区的表面形成第一金属层；进行退火工艺，使得所述第一金属层和与之相接触的掺杂区源漏掺杂区表面的硅结合形成第一金属硅化物层；去除未反应的第一金属层；在所述第一金属硅化物层上形成与所述第一金属层材质不同的第二金属层；进行退火工艺，使得所述第一金属硅化物层的表层和第二金属层结合形成第二金属硅化物层；去除多余的第二金属层。本发明提供的自对准金属硅化物的形成方法形成的金属硅化物能够提供给半导体器件更小的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 金属硅 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括:在硅层的表面形成掺杂区；在所述掺杂区的表面形成第一金属层；进行退火工艺，使得所述第一金属层和与之相接触的掺杂区表面的硅结合形成第一金属硅化物层；去除未反应的第一金属层；在所述第一金属硅化物层上形成与所述第一金属层材质不同的第二金属层；进行退火工艺，使得所述第一金属硅化物层的表层和第二金属层结合形成第二金属硅化物层，从而在掺杂区表面形成金属硅化物层，所述金属硅化物层包括从半导体衬底内部向表面的方向上依次包括第一金属硅化物层和第二金属硅化物层，所述第一金属硅化物层材料为NiSi，所述第二硅化物层材料为TiNiSi；去除未反应的第二金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310006397.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
