[发明专利]发光二极管、发光二极管的制造方法、发光二极管灯和照明装置有效
| 申请号： | 201280051930.9 | 申请日： | 2012-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN103890981A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 松村笃;德永悠 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L21/205;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少了光吸收的发光二极管、其制造方法、灯和照明装置。一种发光二极管（100），具备：设置在基板（1）上的含有发光层（24）的化合物半导体层（10）；被设置在基板（1）与化合物半导体层（10）之间的欧姆接触电极（7）；被设置在化合物半导体层（10）的基板（1）相反侧的欧姆电极（11）；包含以覆盖欧姆电极（11）的表面的方式设置的分支部（12b）和与分支部（12b）连结的焊盘部（12a）的表面电极（12）；和被设置在发光层（24）之中的、在与焊盘部（12a）俯视重叠的区域所配置的焊盘下发光层（24a）和在除了与焊盘部（12a）俯视重叠的区域以外的区域所配置的发光层（24）之间，阻碍向焊盘下发光层（24a）供给的电流的电流隔断部（13）。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 照明 装置 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，具备：化合物半导体层，其被设置在基板上，依次包含发光层和蚀刻停止层；欧姆接触电极，其被设置在所述基板与所述化合物半导体层之间；欧姆电极，其被设置在所述化合物半导体层的所述基板相反侧；表面电极，其包含以覆盖所述欧姆电极的表面的方式设置的分支部和与所述分支部连结的焊盘部；以及电流隔断部，其被设置在所述发光层之中的、在与所述焊盘部俯视重叠的区域所配置的焊盘下发光层、和在除了与所述焊盘部俯视重叠的区域以外的区域所配置的发光层之间，阻碍向所述焊盘下发光层供给的电流。
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