[实用新型]反应气体供给装置有效
申请号: | 201220445219.9 | 申请日: | 2012-09-03 |
公开(公告)号: | CN202830168U | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 李菁;魏强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01J37/32 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张龙哺;冯志云 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种反应气体供给装置,与等离子体处理设备配合使用,反应气体供给装置控制通入反应腔室的反应气体流量,该供给装置包括:至少一个气体导入通道,与气体喷淋单元连接,反应气体自气体导入通道导入气体喷淋单元;至少一个调节阀,与气体导入通道配合使用,调节阀调节气体导入通道中反应气体的流量;其中,供给装置还包括一脉宽调制单元,脉宽调制单元发出至少一种脉宽信号控制调节阀调节导入气体喷淋单元的反应气体的流量。该装置实现了对气体导入通道中反应气体流量的精确控制,从而使反应腔室中反应气体分布处于一种可控状态,实现了对等离子体处理工艺的过程控制。其实施开销少,结构简单。 | ||
搜索关键词: | 反应 气体 供给 装置 | ||
【主权项】:
一种反应气体供给装置,与等离子体处理设备配合使用,所述等离子体处理设备至少包括反应腔室和气体喷淋单元,所述反应气体自所述气体喷淋单元导入所述反应腔室,所述反应气体供给装置控制通入所述反应腔室的反应气体流量,所述供给装置包括:至少一个气体导入通道,与所述气体喷淋单元连接,所述反应气体自所述气体导入通道导入所述气体喷淋单元;至少一个调节阀,与所述气体导入通道配合使用,所述调节阀调节所述气体导入通道中所述反应气体的流量;其特征在于,所述供给装置还包括一脉宽调制单元,所述脉宽调制单元发出至少一种脉宽信号控制所述调节阀调节导入所述气体喷淋单元的反应气体的流量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220445219.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电站间接空冷机组清洗装置的升降换位机构
- 下一篇:一种叶轮式宽量程电子水表
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的