[实用新型]多量子阱半导体激光器有效
| 申请号： | 201220411336.3 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN202712685U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;刘晖;聂志强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种多量子阱半导体激光器，具有较高的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。本实用新型采用量子阱层发光区相互交错的方式，降低了有源区热串扰，减小了系统热阻；可实现激光大功率输出。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 半导体激光器 | ||
【主权项】：
多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特征在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院西安光学精密机械研究所，未经中国科学院西安光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220411336.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自行车变速结构
- 下一篇：一种带有指示灯的车载充电器
