[实用新型]一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备

摘要

本实用新型涉及一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，属于真空镀膜技术领域。它包括柔性基材、放卷室，预处理装置、6个真空室、收卷室、中频电源Ⅰ、直流电源Ⅰ、中频电源Ⅱ、中频电源Ⅲ、中频电源Ⅳ、直流电源Ⅱ、气体检测器、光谱仪探头、加热器Ⅰ、加热器Ⅱ，所述6个真空室分别为硅镀膜室Ⅰ、氧化铌镀膜室、硅镀膜室Ⅱ、硅镀膜室Ⅲ、硅镀膜室Ⅳ、ITO镀膜室，所述硅镀膜室Ⅰ、硅镀膜室Ⅱ、硅镀膜室Ⅲ、硅镀膜室Ⅳ内设置有硅靶，所述氧化铌镀膜室内设置有氧化铌靶，所述ITO镀膜室内设置有ITO靶。本实用新型通过该系统采用实时监测基材水汽含量及真空室内气体含量，可及时调整镀膜室内气体含量；采用该系统生产透明导电薄膜可有效提高生产效率。

主权项

一种用于触摸屏的透明导电薄膜制备设备，它包括柔性基材（1）、放卷室（2），预处理装置（3）、6个真空室、收卷室（10）、中频电源Ⅰ（11）、直流电源Ⅰ（12）、中频电源Ⅱ（13）、中频电源Ⅲ（14）、中频电源Ⅳ（15）、 直流电源Ⅱ（16）、气体检测器（17）、光谱仪探头（18）、加热器Ⅰ（19）、加热器Ⅱ（20），其特征在于：所述6个真空室分别为硅镀膜室Ⅰ（4）、氧化铌镀膜室（5）、硅镀膜室Ⅱ（6）、硅镀膜室Ⅲ（7）、硅镀膜室Ⅳ（8）、ITO 镀膜室（9），所述硅镀膜室Ⅰ（4）、硅镀膜室Ⅱ（6）、硅镀膜室Ⅲ（7）、硅镀膜室Ⅳ（8）内设置有硅靶，所述氧化铌镀膜室（5）内设置有氧化铌靶，所述ITO 镀膜室（9）内设置有ITO靶；中频电源Ⅰ（11）与硅镀膜室Ⅰ（4）连接，直流电源Ⅰ（12）与氧化铌镀膜室（5）连接，中频电源Ⅱ（13）与硅镀膜室Ⅱ（6）连接，中频电源Ⅲ（14）与硅镀膜室Ⅲ（7）连接，中频电源Ⅳ（15）与硅镀膜室Ⅳ（8）连接，直流电源Ⅱ（16）与ITO 镀膜室（9）连接；气体检测器（17）放置于放卷室（2）上方。