[实用新型]LED外延结构有效
| 申请号： | 201220383370.4 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN202839725U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 林翔;马培培;陈勇;梁秉文 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括：第三半导体层，位于第二半导体层上，所述第三半导体层的导电类型与第一半导体层的导电类型相同以提高扩展电流分布的均匀性，所述第三半导体层作为电流扩展层。本实用新型提高了LED外延结构的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，其特征在于，还包括： 第三半导体层，位于第二半导体层的表面上，所述第三半导体层的导电类型与第一半导体层的导电类型相同以提高扩展电流分布的均匀性，所述第三半导体层作为电流扩展层。
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