[实用新型]提高硅锭少子寿命的坩埚有效

专利信息
申请号: 201220263420.5 申请日: 2012-06-06
公开(公告)号: CN202744648U 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: 潘欢欢;孙海知;黄东;李晓辉;宋江 申请(专利权)人: 海润光伏科技股份有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 江阴市同盛专利事务所 32210 代理人: 唐纫兰;曾丹
地址: 214407 江苏省无锡市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种提高硅锭少子寿命的坩埚,属于硅晶铸锭生产制造设备技术领域,其特征在于:它包括坩埚本体(1),所述坩埚本体(1)内壁的底部铺设有薄片(2),所述薄片(2)与坩埚本体(1)内壁的底部充分接触,并铺满整个坩埚本体(1)的底部,所述薄片(2)的表面铺设有籽晶(3),所述籽晶(3)铺满整个坩埚本体(1)的底部,所述薄片(2)不镀膜或单面镀膜或双面镀膜,其表面的镀膜为氧化铝膜(2.1)。本实用新型提高硅锭少子寿命的坩埚通过在底部铺设含高纯度二氧化硅和硅的化合物的薄片,能够减少在铸造过程中杂质进入硅锭,提高了铸造大晶粒硅锭底部少子寿命,降低铸造大晶粒硅锭的成本。
搜索关键词: 提高 少子 寿命 坩埚
【主权项】:
一种提高硅锭少子寿命的坩埚,其特征在于:它包括坩埚本体(1),所述坩埚本体(1)内壁的底部铺设有薄片(2),所述薄片(2)与坩埚本体(1)内壁的底部充分接触,并铺满整个坩埚本体(1)的底部,所述薄片(2)的表面铺设有籽晶(3),所述籽晶(3)铺满整个坩埚本体(1)的底部。
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