[实用新型]一种带有控温装置的气体喷淋装置以及真空处理装置有效
申请号: | 201220248004.8 | 申请日: | 2012-05-29 |
公开(公告)号: | CN202610325U | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 姜勇;周宁 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴世华;冯志云 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供一种带有控温装置的气体喷淋装置,其包括:气体喷淋头、第一气体腔和第二气体腔,以及至少一个第一气体流道,自所述第一气体腔向下贯通至所述反应腔室;至少一个第二气体流道,自所述第二气体腔向下贯通至所述反应腔室,与所述第一气体流道平行并分开设置;其还包括:与所述气体喷淋头的下表面隔开设置的吸热板,所述吸热板设置有与所述第一气体流道以及第二气体流道相匹配的气体流通单元,使所述反应气体通过所述气体流通单元在反应腔室内部进行反应。本实用新型可以在降低气体喷淋装置的气体流道温度的同时,减少原本会出现与气体喷淋装置下表面的沉积物。 | ||
搜索关键词: | 一种 带有 装置 气体 喷淋 以及 真空 处理 | ||
【主权项】:
一种带有控温装置的气体喷淋装置,用于真空处理装置中向反应腔室导入反应气体以引起化学气相沉积反应,包括:气体喷淋头、第一气体腔和第二气体腔,以及至少一个第一气体流道,自所述第一气体腔向下贯通至所述反应腔室,用于将来自于所述第一气体腔的第一反应气体导入所述反应腔室;至少一个第二气体流道,自所述第二气体腔向下贯通至所述反应腔室,与所述第一气体流道平行并分开设置,用于将来自于所述第二气体腔的第二反应气体导入所述反应腔室;其特征在于,还包括:与所述气体喷淋头的下表面隔开设置的吸热板,所述吸热板设置有与所述第一气体流道以及第二气体流道相匹配的气体流通单元,使所述反应气体通过所述气体流通单元在反应腔室内部进行反应。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的