[实用新型]一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈有效

专利信息
申请号: 201220233078.4 申请日: 2012-05-23
公开(公告)号: CN202658266U 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 刘剑 申请(专利权)人: 刘剑
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 332000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要: 实用新型涉及一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈,包括线圈盘体,位于线圈盘体的线圈中心外围设置线圈台阶,同时,所述线圈盘体外围环绕设置环形线圈水路,此线圈盘体外径设置为70mm-190mm。本实用新型有益效果为:产品单匝加热线圈内径小,可形成腰细、距离短的熔区,使之更稳定;在生产中加热后产生磁场应力,和炉内生长条件形成一个非动态平衡条件,从而有利于循环生产;尤其对于大直径单晶生长可提高成功率,利于降低功耗的损失,提高了功率利用率;可依据不同直径的原料采用不同的线圈来改变生长时产生的磁场,对于原料化料的形状和旋转的角度改变较为理想;有利于多晶原料消除硅刺的现象,成晶更稳定。
搜索关键词: 一种 用于 拉制 寸区熔 单晶硅 加热 线圈
【主权项】:
一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈,包括线圈盘体(5),其特征在于:位于线圈盘体(5)的线圈中心(2)外围设置线圈台阶(3),同时,所述线圈盘体(5)外围环绕设置环形线圈水路(4),此线圈盘体(5)外径设置为70mm‑190mm。
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