[发明专利]分离栅存储阵列的编程方法有效
| 申请号： | 201210577034.8 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103106922B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种分离栅存储阵列的编程方法，所述编程方法包括进行预编程阶段，对目标存储位单元所在扇区内的字线施加预编程电压，对所有的位线施加工作电压，对所述目标存储位单元所在扇区内的源极线施加所述工作电压，以防止或减少在编程阶段对所述非目标存储位单元误编程；进行编程阶段，对所述目标存储位单元的字线施加一字线编程电压，对所述目标存储位单元的位线施加一位线编程电压，对所述目标存储位单元所在的源极线施加所述源极编程电压，以对所述目标存储位单元进行编程。本发明的分离栅存储阵列的编程方法，能在对所述目标存储位单元进行编程时降低对所述非目标存储位单元的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 存储 阵列 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种分离栅存储阵列的编程方法，所述分离栅存储阵列包含若干存储单元，每个所述存储单元均包含两个共用一条源极线的存储位单元，所述存储位单元阵列排布，每列所述存储位单元连接一条位线，每行所述存储位单元连接一条字线，所述编程方法包括：进行预编程阶段，对目标存储位单元所在扇区内的字线施加预编程电压，对所有的位线施加工作电压，对所述目标存储位单元所在扇区内的源极线施加所述工作电压，以防止或减少在编程阶段对非目标存储位单元误编程；进行编程阶段，对所述目标存储位单元的字线施加一字线编程电压，对所述目标存储位单元的位线施加一位线编程电压，对所述目标存储位单元所在的源极线施加源极编程电压，以对所述目标存储位单元进行编程。
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