[发明专利]一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法。本结构包括一硅基CMOS电路芯片、一石墨烯霍尔元件，芯片的核心电路区外围设有若干互连电极和压焊电极，芯片表面除互连电极、压焊电极之外的区域上方覆盖一钝化层，互连电极、压焊电极与芯片分别通过钝化层下的金属线电连接；芯片的核心电路区上方的钝化层上依次为有机分子层、石墨烯霍尔元件；石墨烯霍尔元件的电极分别通过金属互连线与互连电极连接。通过对霍尔集成电路表面覆盖一钝化层进行封装，只露出压焊电极，以便实际使用中方便和外电路连接。本发明的霍尔集成电路完全利用微加工手段制备，所需芯片面积小、制备效率高、成本低。

主权项

一种石墨烯霍尔集成电路，包括一硅基CMOS电路芯片(1)、一石墨烯霍尔元件，其特征在于硅基CMOS电路芯片的核心电路区外围设有若干金属互连电极(2)和若干金属压焊电极(11)，硅基CMOS电路芯片表面除所述金属互连电极、金属压焊电极之外的区域上方覆盖一钝化层(7)，所述金属互连电极、金属压焊电极与硅基CMOS电路芯片分别通过钝化层(7)下的金属线电连接；硅基CMOS电路芯片的核心电路区上方的钝化层上依次为有机分子层(8)、所述石墨烯霍尔元件；所述石墨烯霍尔元件的电极分别通过金属互连线与互连电极连接。