[发明专利]一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片有效

专利信息
申请号: 201210567772.4 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN103076050A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 赵玉龙;陈佩;李一瑶 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01F1/56 分类号: G01F1/56
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基,在外围支撑硅基的背面配置有玻璃衬底,外围支撑硅基的背面与玻璃衬底进行键合连接,中央硅膜位于外围支撑硅基的中间,中央硅膜的一边和外围支撑硅基之间通过一硅悬臂梁相连,硅悬臂梁上的中间配置有四个压阻条,四个压阻条连接构成惠斯通电桥,中央硅膜与硅悬臂梁组成的梁膜结构构成传感器测量部位,当一定速度流体作用于传感器芯片时,将有惯性力作用于中央硅膜,进而使得梁膜结构发生变形,压阻条在硅悬臂梁的应力作用下其阻值发生变化,惠斯通电桥失去平衡,输出一个与外界流量相对应的电信号,从而实现传感器芯片对流量的测量,具有体积小,重量小,响应速度快和高灵敏度的优点。
搜索关键词: 一种 梁膜单梁 结构 流量传感器 芯片
【主权项】:
一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基(3),其特征在于:在外围支撑硅基(3)的背面配置有玻璃衬底(4),外围支撑硅基(3)的背面与玻璃衬底(4)进行键合连接,中央硅膜(1)位于外围支撑硅基(3)的中间,中央硅膜(1)的一边和外围支撑硅基(3)之间通过一硅悬臂梁(2)相连,硅悬臂梁(2)上的中间配置有四个压阻条(5),四个压阻条(5)连接构成惠斯通电桥,中央硅膜(1)与硅悬臂梁(2)组成的梁膜结构构成传感器测量部位;所述的中央硅膜(1)与外围支撑硅基(3)之间存在150‑170m的间隙以使中央质硅膜(1)悬空,中央硅膜(1)的厚度与硅悬臂梁(2)的厚度相同;所述的中央硅膜(1)、硅悬臂梁(2)和外围支撑硅基(3)三部分的中轴线重合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210567772.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top