[发明专利]一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201210563894.6 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103050600A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张威;徐瑾;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法，属于半导体领域。芯片：衬底层、N型层、发光层、P型层和透明导电层、以及分别在N型层和P型层上引出的N电极和P电极，芯片还包括覆盖在衬底层的底面和/或透明导电层的上表面的透明介质层；覆盖在衬底层的底面的透明介质层的折射率高于衬底层的折射率；覆盖在透明导电层的上表面的透明介质层的折射率高于透明导电层的折射率；覆盖在衬底层的底面的透明介质层包括若干从衬底层的底面延伸出的凸起；覆盖在透明导电层的上表面的透明介质层包括若干从透明导电层的上表面延伸出的凸起。本发明提高了LED的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底层、依次覆盖在所述衬底层上的N型层、发光层、P型层和透明导电层、以及分别在所述N型层和所述P型层上引出的N电极和P电极，其特征在于，所述芯片还包括覆盖在所述衬底层的底面和/或所述透明导电层的上表面的透明介质层，覆盖在所述衬底层的底面的所述透明介质层的折射率高于所述衬底层的折射率，覆盖在所述透明导电层的上表面的所述透明介质层的折射率高于所述透明导电层的折射率；所述覆盖在所述衬底层的底面的所述透明介质层包括若干从所述衬底层的底面延伸出的凸起，所述覆盖在所述透明导电层的上表面的透明介质层包括若干从所述透明导电层的上表面延伸出的凸起。
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