[发明专利]一种采用双路径传热的高密度芯片散热方法有效
| 申请号： | 201210561704.7 | 申请日： | 2012-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103021877A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 严红;李强 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七0九研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/34;H05K7/20;G06F1/20 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人： | 胡清堂 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种采用双路径传热的高密度芯片散热方法，包括芯片、印制板、导热绝缘介质、散热器，其特征在于：其步骤如下：首先芯片焊接于印制板上；然后芯片表面及印制板底面均安装散热器；最后芯片与散热器之间、印制板与散热器之间填充导热绝缘介质。其优点是:通过建立两条并联的传热路径，将芯片传热路径上的热量分流，减小了传热路径上的热流密度，可提高芯片的散热能力，解决高密度芯片的热积累问题，降低芯片的核心温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 路径 传热 高密度 芯片 散热 方法 | ||
【主权项】：
一种采用双路径传热的高密度芯片散热方法，包括芯片、印制板、导热绝缘介质、散热器，其特征在于：其步骤如下：首先芯片焊接于印制板上；然后芯片表面及印制板底面均安装散热器；最后芯片与散热器之间、印制板与散热器之间填充导热绝缘介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
