[发明专利]反应腔室及磁控溅射设备

摘要

本发明提供了一种反应腔室及磁控溅射设备，包括设置在其内部的基座、卡环和卡环遮蔽件。其中，被加工工件置于基座的上表面，卡环位于被加工工件的上方，且与其边缘部分相互叠置，以将被加工工件压紧在基座的上表面；卡环遮蔽件设置在反应腔室内，且位于卡环的上方，并且卡环遮蔽件采用环形结构，且在反应腔室的径向平面上，卡环遮蔽件的投影形状与卡环的投影形状相对应，并且卡环遮蔽件的内径不小于卡环的内径。本发明提供的反应腔室，其不仅可以避免卡环的温度过高，从而导致被加工工件与卡环相接触的部分因过热而损坏，而且还可以在一定程度上阻挡等离子体腐蚀卡环，从而可以提高卡环的使用寿命。

主权项

一种反应腔室，包括设置在其内部的基座和卡环，被加工工件置于所述基座的上表面，所述卡环位于被加工工件的上方，且与其边缘部分相互叠置，以将所述被加工工件压紧在所述基座的上表面，其特征在于，所述反应腔室还包括卡环遮蔽件，所述卡环遮蔽件设置在所述反应腔室内，且位于所述卡环的上方，并且所述卡环遮蔽件采用环形结构，且在所述反应腔室的径向平面上，所述卡环遮蔽件的投影形状与所述卡环的投影形状相对应，并且所述卡环遮蔽件的内径不小于所述卡环的内径。