[发明专利]SOI H型栅MOS器件的建模方法有效

专利信息
申请号: 201210536882.4 申请日: 2013-01-06
公开(公告)号: CN102982215A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波;何平
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种SOI MOS器件的建模方法,其中该SOI MOS器件为H型栅的SOI MOS器件,该方法包括:a)建立包含模拟条形栅的SOI MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟延伸源体PN结侧面电容的源体PN结侧面电容模型和模拟延伸漏体PN结侧面电容的延伸漏体PN结侧面电容模型的总体模型;b)对总体模型中的初级MOS器件模型和延伸源体PN结侧面电容模型和延伸漏体PN结侧面电容模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑了H型栅SOI MOS器件中延伸源体结侧面电容以及延伸漏体结侧面电容对于器件性能的影响,提高了模型的精确度,能够有效的运用于对器件的仿真设计。
搜索关键词: soi 型栅 mos 器件 建模 方法
【主权项】:
一种SOI MOS器件的建模方法,其中该SOI MOS器件为H型栅SOI MOS器件,该方法包括:a)建立包含模拟条型栅SOI MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟延伸源体PN结侧面电容的延伸源体PN结侧面电容模型和模拟延伸漏体PN结侧面电容的延伸漏体PN结侧面电容模型的总体模型;b)对总体模型中的初级MOS器件模型和延伸源体PN结侧面电容模型和延伸漏体PN结侧面电容模型分别进行参数提取。
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