[发明专利]一种高阶曲率补偿的带隙基准电压电路

摘要

本发明公开了一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源，该电压源包括曲率补偿电路、基准电压产生电路、启动电路、误差放大器（A1）；曲率补偿电路包括第零PMOS管（PM0）、第一PMOS管（PM1），第零NMOS管（NM0）、第一NMOS管（NM1）、第二NMOS管（NM2），第零三极管（Q0）、第一三极管（Q1）；基准电压产生电路包括用于产生正温度系数电压的第二三极管（Q2）、第三三极管（Q3），用于产生正温度系数电流的第零电阻（R0）和用于产生负温度系数的第一电阻（R1）、第二电阻（R2）等。本发明能够在很大的温度范围内具有较低的温度系数的基准电压。

主权项

一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源，其特征在于：该电压源包括曲率补偿电路、基准电压产生电路、启动电路、误差放大器（A1）；曲率补偿电路包括第零PMOS管（PM0）、第一PMOS管（PM1），第零NMOS管（NM0）、第一NMOS管（NM1）、第二NMOS管（NM2），第零三极管（Q0）、第一三极管（Q1）；基准电压产生电路包括用于产生正温度系数电压的第二三极管（Q2）、第三三极管（Q3），用于产生正温度系数电流的第零电阻（R0）和用于产生负温度系数的第一电阻（R1）、第二电阻（R2），用于产生输出基准电压的第四电阻（R4），用于镜像电流的第三PMOS管（PM3），第四PMOS管（PM4）、第五PMOS管（PM5）；启动电路包括第六PMOS管（PM6）、第七PMOS管（PM7）、第八PMOS管（PM8），第三电阻（R3）以及第四三极管（Q4）；电路连接关系如下：第零PMOS管（PM0）、第一PMOS管（PM1）、第二PMOS管（PM2）的栅极相连，第零PMOS管（PM0）的漏极和第零NMOS管（NM0）的漏极相连；第一PMOS管（PM1）的漏极分别和第一NMOS管（NM1）的漏极、栅极相连，第零NMOS管（NM0）、第一NMOS管（NM1）的栅极相连，第一NMOS管（NM1）的栅极连接到第二NMOS管（NM2）的栅极；第零NMOS管（NM0）的源极和第二NMOS管（NM2）的漏极相连；第零三极管（Q0）的基极和集电极相连，第零三极管（Q0）的基极连接到第一NMOS管（NM1）的源极，第一三极管（Q1）的基极和集电极相连并连接到第二NMOS管（NM2）的源极；第三NMOS管（NM3）、第四NMOS管（NM4）、第五NMOS管（NM5）的栅极相连，第三NMOS管（NM3）的栅极连接到第三NMOS管（NM3）的漏极，同时第二PMOS管（PM2）的漏极与第三NMOS管（NM3）的漏极相连；第三PMOS管（PM3）、第四PMOS管（PM4）、第五PMOS管（PM5）的栅极相连，第五PMOS管（PM5）的栅极接到误差放大器（A1）的输出端；第四PMOS管（PM4）的漏极分别连接到第零电阻（R0）、第一电阻（R1）一端和第四NMOS管（NM4）的漏端，第零电阻（R0）的另一端分别和第二三极管（Q2）的基极、集电极相连；第五PMOS管（PM5）的漏极分别连接到第五NMOS管（NM5）的漏极、第三三极管（Q3）的基极、集电极、第四三极管（Q4）的基极、第二电阻（R2）的一端以及第六PMOS管（PM6）的漏极；第七PMOS管（PM7）的漏极分别连接到第六PMOS管（PM6）的栅极、第三电阻（R3）的一端；第七PMOS管（PM7）栅极连接到第八PMOS管（PM8）的栅极，第八PMOS管（PM8）的栅极和漏极相连并连接到第四三极管（Q4）的集电极；第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）的另一端都连接到地。